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英诺赛科最新视觉报道_英诺赛科为什么不上市(2024年12月全程跟踪)

内容来源：材料耗材资讯网所属栏目：热点更新日期：2024-11-29

英诺赛科

GaN芯片龙头「英诺赛科」，赴香港上市获备案通知书，拟发行不超过1.07亿股

英诺赛科通过IPO备案：年营收6亿，亏损11亿实控人为美国籍

证监会发布英诺赛科（苏州）科技股份有限公司境外发行上市备案通知书

英诺赛科取得微型逆变器和光伏系统专利，让整个电路得到了简化提高效率

证监会发布英诺赛科（苏州）科技股份有限公司境外发行上市备案通知书

英诺赛科亮相国际集成电路展览会，并荣获全球电子成就奖

芯闻资讯｜氮化镓芯片企业英诺赛科境外发行上市获得备案 11月28日，中国证监会国际合作司发布关于英诺赛科（苏州）科技股份有限公司境外发行上市备案通知书，公司拟发行不超过106,539,400股境外上市普通股并在香港联合交易所上市。公司51名股东拟将所持合计444,228,787股境内未上市股份转为境外上市股份，并在香港联合交易所上市流通。英诺赛科采取IDM一体化垂直运作模式，覆盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试，可以有效控制整个生产流程，是全球首家实现量产8英寸硅基氮化鎵晶圆的公司，也是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化鎵半导体产品的公司，公司业务包括设计、开发及生产若干类型的氮化鎵产品，包括分立器件、集成电路、晶圆及模组。招股书显示，目前，英诺赛科拥有全球最大的氮化镓生产基地，截至2023年末，产能达到每月10000片晶圆，在供应端建立了显著的优势。其强大的量产能力结合先进的制造工艺，为公司带来了显著的先发优势。

英诺赛科取得微型逆变器和光伏系统专利，能够提高系统效率，减少发热

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